| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2017-03-19T15:48:50Z | |
| dc.date.available | 2017-03-19T15:48:50Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук В. С. Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. - 2001. - № 427. - С. 45-55. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14857 | |
| dc.description.abstract | В статті розглянута математична модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного в залежності від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоре-тичних розрахунків у межах 5%. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Національний університет "Львівська політехніка" | uk |
| dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. №427 : 45-55. | uk |
| dc.relation.ispartofseries | Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | фотореактивний ефект | uk |
| dc.subject | транзисторна структура з від'ємним опором | uk |
| dc.subject | частота | uk |
| dc.subject | математична модель | uk |
| dc.subject | вимірювання | uk |
| dc.title | Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.307 | |
