Показати скорочену інформацію

dc.contributor.authorОсадчук, В. С.uk
dc.contributor.authorОсадчук, О. В.uk
dc.date.accessioned2017-03-19T15:48:50Z
dc.date.available2017-03-19T15:48:50Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationОсадчук В. С. Математична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторах [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. - 2001. - № 427. - С. 45-55.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/14857
dc.description.abstractВ статті розглянута математична модель фотореактивного ефекту у структурі метал-діелектрик-напівпровідник, яка описує залежність повного опору каналу структури від частоти сигналу і потужності оптичного випромінювання. Показано, що характер опору каналу змінюється від ємнісного до індуктивного в залежності від потужності випромінювання. Експериментальні дослідження підтвердили справедливість теоре-тичних розрахунків у межах 5%.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherНаціональний університет "Львівська політехніка"uk
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”. Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. №427 : 45-55.uk
dc.relation.ispartofseriesЕлементи теорії та прилади твердотілої електронікиuk
dc.subjectвід'ємний опірuk
dc.subjectфотореактивний ефектuk
dc.subjectтранзисторна структура з від'ємним опоромuk
dc.subjectчастотаuk
dc.subjectматематична модельuk
dc.subjectвимірюванняuk
dc.titleМатематична модель фотореактивного ефекту у польових транзисторахuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc621.307


Файли в цьому документі

Thumbnail

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію