Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів

Author
Михалевський, Д. В.
Mykhalevskiy, D. V.
Date
2013
Metadata
Show full item record
Collections
Abstract
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю.
 
In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014
View/Open