Вплив паразитної ємності польових транзисторів на рівень власних шумів
Автор
Михалевський, Д. В.
Mykhalevskiy, D. V.
Дата
2013Metadata
Показати повну інформаціюCollections
- Наукові роботи каф. ІКСТ [437]
Анотації
В роботі розглянуто вплив паразитної ємності польових МОН-транзисторів на рівень їх власних шу-мових характеристик, для операцій вхідного та вихідного контролю. In this paper, the influence of parasitic capacitance MOSFETs field on the intrinsic noise level for operation input and output control.
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей ресурс:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/15014