Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом

Abstract

Сенсор магнітного поля з активним індуктивним елементом, до якого додатково введені двозатворний МОН-транзистор, біполярний транзистор, третій резистор та дві ємності, а як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор, причому перший та другий затвори двостокового двозатворного магніточутливого МОН-транзистора з'єднані із першими виводами першого та другого резисторів відповідно, підкладка двозатворного МОН-транзистора з'єднана із його витоком та витоком двостокового двозатворного магніточутливого МОН-транзистора, перший затвор двозатворного МОН-транзистора з'єднаний із першим стоком двостокового двозатворного магніточутливого МОН-транзистора, емітером біполярного транзистора та першим виводом першої ємності, другий вивід якої з'єднаний із базою біполярного транзистора та першим виводом третього резистора, другий вивід якого з'єднаний із колектором біполярного транзистора, другим виводом першого резистора, першим виводом другої ємності та першим полюсом джерела постійної напруги, другий стік двостокового двозатворного магніточутливого МОН-транзистора з'єднаний із другим затвором двозатворного МОН-транзистора, стік якого з'єднаний із другими виводами другого резистора і другої ємності та під'єднаний до загальної шини, до якої підключена друга вихідна клема.

Сенсор магнитного поля с активным индуктивным элементом, в который дополнительно введены двухзатворный МОП-транзистор, биполярный транзистор, третий резистор и две емкости, а в качестве двухстокового магниточувствительного МОП-транзистора использованы двухстоковый двухзатворный магниточувствителый МОП-транзистор, причем первый и второй затворы двухстокового двухзатворного магниточувствительного МОП-транзистора соединены с первыми выводами первого и второго резисторов, соответственно, подложка двухзатворного МОП-транзистора соединена с его истоком и истоком двухстокового двухзатворного магниточувствительного МОП-транзистора, первый затвор двухзатворного МОП-транзистора соединен с первым стоком двухстокового двухзатворного магниточувствительного МОП-транзистора, эмиттером биполярного транзистора и первым выводом первой емкости, второй вывод которой соединен с базой биполярного транзистора и первым выводом третьего резистора, второй вывод которого соединен с коллектором биполярного транзистора, вторым выводом первого резистора, первым выводом второй емкости и первым полюсом источника постоянного напряжения, второй сток двухстокового двухзатворного магниточувствительного МОП-транзистора соединен со вторым затвором двухзатворного МОП-транзистора, сток которого соединен со вторыми выводами второго резистора и второй емкости и подключен к общей шине, к которой подключена вторая выходная клемма.

Disclosed is a magnet field sensor with an active inductance element in which in addition a two-gate MOS-transistor, a bipolar transistor, a third resistor and two capacitors are incorporated. As a two-drain magnetic sensitive MOS transistor a two-drain two-gate magnetic sensitive MOS transistor is used, the first and second gates of the two-drain two-gate magnetic sensitive MOS transistor are connected to the first terminals of first and second resistors respectively, the substrate of two-gate MOS-transistor is connected to the source thereof and the source of the two-drain two-gate magnetic sensitive MOS transistor, emitter of bipolar transistor and first terminal of first capacitor, which second terminal is connected to a base of bipolar transistor and first terminal of third resistor, which second terminal is connected to the collector of bipolar transistor, second terminal of first resistor, first terminal of second capacitor and first pole of DC source, the second drain of two-drain two-gate magnetic sensitive MOS transistor is connected to the second gate of two-gate MOS transistor, which drain is connected to the second terminals of second resistor and second capacitor and connected to a common bus, to which the second output terminal is connected.