The prospects of using of inse type magnetoresistive semiconductor materials aimed at the creation of magnetic field sensors

Abstract

Об‘єктом даного дослідження є магніторезистивні структури на осно- ві шаруватих напівпровідників InSe, інтеркальовані нікелем, призначені для виявлення важкої бронетехніки. Досліджений імпеданс даних структур при температурах від рідкого азоту до кімнатної