The prospects of using of inse type magnetoresistive semiconductor materials aimed at the creation of magnetic field sensors
Abstract
Об‘єктом даного дослідження є магніторезистивні структури на осно- ві шаруватих напівпровідників InSe, інтеркальовані нікелем, призначені для виявлення важкої бронетехніки. Досліджений імпеданс даних структур при температурах від рідкого азоту до кімнатної
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/22275