Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
Вантажиться...
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Photoreactive effect in MIS transistor structures with two-sided illumination of the channel
Анотація
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
Опис
Ключові слова
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, О. М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98.