Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу
| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Барабан, С. В. | uk |
| dc.contributor.author | Ільченко, О. М. | uk |
| dc.date.accessioned | 2015-11-20T10:29:38Z | |
| dc.date.available | 2015-11-20T10:29:38Z | |
| dc.date.issued | 2008-06 | |
| dc.identifier.citation | Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, О. М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2008. - № 4. - С. 92-98. | uk |
| dc.identifier.issn | 1997-9266 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2274 | |
| dc.description.abstract | Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв’язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | фотореактивний ефект | uk |
| dc.subject | МДН-транзистор | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | рівняння перенесення | uk |
| dc.title | Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.383.8 |
Файли в цьому документі
Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)
-
Наукові роботи каф. ІРТС [779]
статті, матеріали конференцій