Дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв

Abstract

В даній магістерській кваліфікаційній роботі представлені дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв. Проаналізовано існуючі методи та засоби дослідження реактивних властивостей високочастотних транзисторів та обґрунтувати переваги пристроїв на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні надвисоких частот по відношенню до існуючих. В теоретичній частині проведено розрахунок коефіцієнта передачі по струму у реактивному транзисторі у діапазоні надвисоких частот. Удосконалено математичну модель розрахунку повного вхідного опору індуктивного НВЧ транзистора. Досліджено вплив паразитних реактивностей виводів на величину вхідного опору, а також частотну залежність параметрів транзисторної НВЧ індуктивності. Запропоновано нові схеми помножувачів частоти на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором, які на відміну від відомих пристроїв враховують електрофізичні параметри транзисторів. На базі теоретичних результатів розроблено структури помножувачів частоти на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором, аналіз яких показав можливість підвищення метрологічні параметри у півтора рази в порівнянні з класичними пристроями. В економічній частині було визначено собівартість, економічний ефект та термін окупності пристрою. Також в роботі розглянутий розділ безпеки життєдіяльності.

In this master's qualification thesis researches of reactive properties of high-frequency transistors and creation on their basis of radio engineering devices are presented. The existing methods and means of a research of reactive properties of high-frequency transistors are analysed and to prove advantages of devices on the basis of reactive properties of transistors in the range of ultrahigh frequencies in relation to existing. In a theoretical part calculation of coefficient of transfer for current in the reactive transistor in the range of ultrahigh frequencies is carried out. The mathematical model of calculation of full entrance resistance inductive is improved by the transistor microwave oven. It is investigated influence of parasitic reactive of conclusions to the size of entrance resistance and also frequency dependence of parameters of the transistor microwave oven of inductance. New schemes of frequency multipliers on the basis of reactive properties of transistor structures with a negative resistance which unlike the known devices consider electrophysical parameters of transistors are offered. On the basis of theoretical results structures of frequency multipliers on the basis of reactive properties of transistor structures with a negative resistance which analysis showed a possibility of increase metrological parameters by one and a half times in comparison with classical devices are developed. In an economic part it was defined prime cost, economic effect and a payback period of the device. Also in work the section of health and safety is considered.