Дослідження індуктивних властивостей низькочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв

Abstract

В даній магістерській кваліфікаційній роботі представлені дослідження реактивних властивостей низькочастотних транзисторів та створення на їх основі радіотехнічних пристроїв. Проаналізовано існуючі методи та засоби дослідження реактивних властивостей низькочастотних транзисторів та обґрунтувати переваги пристроїв на основі реактивних властивостей транзисторів у діапазоні низьких частот по відношенню до існуючих. В теоретичній частині отримано аналітичний вираз для опису індуктивності низькочастотних транзисторів. Досліджено частотну залежність параметрів транзисторної індуктивності. Отримано залежність параметрів транзисторної індуктивності від режиму живлення з постійного струму. Також проведено дослідження залежності індуктивності від зміни величини базового опору, температури і величини вхідного сигналу. Проведено дослідження індуктивних властивостей транзистора з позитивною реактивністю в ланцюзі бази та з додатковою ємністю. На базі теоретичних результатів розроблено напівпровідникові аналоги індуктивності в області низьких частот і на їх основі створено генератори електричних коливань, а також проведено їх експериментальні дослідження. В економічній частині було визначено собівартість, економічний ефект та термін окупності пристрою. Також в роботі розглянутий розділ безпеки життєдіяльності.

In this master's qualification work, studies of reactive properties of low-frequency transistors and the creation of radio-based devices on their basis are presented. The existing methods and tools for investigating the reactive properties of low-frequency transistors are analyzed and the advantages of devices based on the reactive properties of transistors in the low-frequency range in relation to the existing ones are substantiated. In the theoretical part, an analytical expression is derived for describing the inductance of low-frequency transistors. The frequency dependence of the parameters of the transistor inductance is investigated. The dependence of the parameters of the transistor inductance on the power supply mode from a direct current is obtained. Also, the dependence of the inductance on the change in the magnitude of the base resistance, temperature, and magnitude of the input signal was studied. The inductive properties of a transistor with positive reactivity in the base circuit and with an additional capacitance are investigated. On the basis of theoretical results, semiconductor analogues of inductance have been developed in the low-frequency region, and electric oscillators have been created on their basis, and experimental studies have been carried out. In the economic part, the cost, economic effect and payback period of the device were determined. Also in the work the section of safety of vital activity is considered.