| dc.contributor.author | Дмитрієв, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Dmitriev, V. | en |
| dc.contributor.author | Дмитриев, В. С. | ru |
| dc.date.accessioned | 2019-12-02T12:55:20Z | |
| dc.date.available | 2019-12-02T12:55:20Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.identifier.citation | Дмитрієв В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3. – Режим доступу: https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517/508. | uk |
| dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/26687 | |
| dc.description.abstract | У статті наведені результати дослідження впливу попередньої обробки напівпровідникової пластини, режимів нанесення та термообробки контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs на питомий перехідний опір. | uk |
| dc.description.abstract | The paper contains the results of the study of semiconductor wafer preprocessing, application and heat treatment modes of Ag-GE-In/n-n Ga As contacts impact on specific transient resistance. | en |
| dc.description.abstract | В статье приведены результаты исследования влияния предварительной обработки полупроводниковой пластины, режимов нанесения и термообработки контактов Ag-Ge-In/n-n+GaAs на удельное переходное сопротивление. | ru |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Наукові праці ВНТУ. – 2017. – № 3. | uk |
| dc.relation.uri | https://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/517 | |
| dc.subject | арсенід галію | uk |
| dc.subject | потрійний сплав | uk |
| dc.subject | вакуумне напилення | uk |
| dc.subject | термообробка | uk |
| dc.subject | питомий опір | uk |
| dc.subject | омічний контакт | uk |
| dc.subject | gallium-arsenide | en |
| dc.subject | ternary alloy | en |
| dc.subject | vacuum deposition | en |
| dc.subject | heat treatment | en |
| dc.subject | specific resistance | en |
| dc.subject | ohmic contact | en |
| dc.subject | арсенид галлия | ru |
| dc.subject | тройной сплав | ru |
| dc.subject | вакуумное напыление | ru |
| dc.subject | термообработка | ru |
| dc.subject | удельное сопротивление | ru |
| dc.subject | омический контакт | ru |
| dc.title | Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs | uk |
| dc.title.alternative | Multicomponent ohmic contacts to GaAs | en |
| dc.title.alternative | Многокомпонентные омические контакты к GaAs | ru |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.382.2/3 | |
| dc.relation.references | Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей [Електронний ресурс] / С. В. Платонов, Н. В. Пермяков, Б. И. Селезнев [и др.] // Вестник Новгородского государственного университета. – 2012. – № 67. – С. 29 – 32. – Режим доступу до ресурсу: http://www.novsu.ru/file/1010219. | ru |
| dc.relation.references | Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S. M. Sze, K. K. Ng. – Hoboken : A John Wiley & Sons, Inc., 2007. – 815 р. | en |
| dc.relation.references | Ti/Pd/Ag Contacts to n-Type GaAs for High Current Density Devices [Електронний ресурс] / P. Huo,
I. Rey-Stolle // Journal of Electronic Materials. – 2016. – Vol. 45, № 6. – P. 2769 – 2775. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1007/s11664-016-4432-6. | en |
| dc.relation.references | Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura,
M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282. | en |
| dc.relation.references | Christou A. Solid phase formation in Au: Ge/Ni, Ag/In/Ge, In/Au: Ge GaAs ohmic contact systems / A. Christou // Solid-State Electronics. – 1979. – Vol. 22, № 2. – P. 141 – 149. | en |
| dc.relation.references | Дмитриев В. С. Влияние межфазной границы раздела на параметры омического контакта /
В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева // Материали за X международна научна практична конференция «Настоящи изследвания и развитие - 2014» / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева. – София : «Бял ГРАД-БГ» ООД. – 2014. –
Т. 28. – С. 79 – 82. – (ISBN 978-966-8736-05-6). | ru |
| dc.relation.references | Thermal stability of Ag films in air prepared by thermal evaporation / L. Jing, L. Fachun, L. Limei [and al.] // Applied Surface Science. – 2007. – Vol. 253, № 17. – P. 7036 – 7040. | en |
| dc.relation.references | Sugawara K. Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films / K. Sugawara,
M. Kawamura, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2007. – Vol. 84, № 11. – P. 2476 – 2480. | en |
| dc.relation.references | Вартанян Т. А. Отложенное действие освещения на релаксацию гранулированной серебряной пленки при термическом отжиге / Т. А. Вартанян, Н. Б. Леонов, С. Г. Пржибельский // Оптический журнал. – 2013. – Т. 80, № 2. – С. 24 – 28. | ru |
| dc.relation.references | Electrical and structural investigations of Ag-based Ohmic contacts for InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistors [Електронний ресурс] / W. Zhao, L. Wang, I. Adesida // Applied Physics Letters. – 2006. –
Vol. 89, № 7. – P. 072105–1–072105–3. – Режим доступу до ресурсу : http://dx.doi.org/10.1063/1.2337102. | en |
| dc.relation.references | Kawamura M. Electrical and morphological change of Ag–Ni films by annealing in vacuum / M. Kawamura,
M. Yamaguchi, Y. Abe, K. Sasaki // Microelectronic Engineering. – 2005. – Vol. 82, № 3 – 4. – P. 277 – 282. | en |
| dc.relation.references | Kim H. C. Improvement of the thermal stability of silver metallization / H. C. Kim, T. L. Alford // Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 94, № 8. – Р. 5393 – 5395. | en |
| dc.relation.references | Маркин Б. В. Влияние химической обработки на состав поверхности GaAs / Б. В. Маркин, В. В. Чикун // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. – 1990. – № 4. – С. 19. | ru |
| dc.relation.references | Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников / [Б. Д. Луфт, В. А. Перевощиков, Н. М. Возмилова и др.]. – М. : Радио и связь, 1982. – 136 с. | ru |
| dc.relation.references | Пат. 2319798 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/302. Способ получения атомно-гладкой поверхности подложки арсенида галлия / Безрядин Н. Н., Котов Г. И., Стародубцев А. А., Стрыгин В. Д., Арсентьев И. Н.; заявитель и патентообладатель ГОУВПО Воронежская государственная технологическая академия. – № 2006116830/15 ; заявл. 16.05.06 ; опубл. 20.03.08, Бюл. № 8. | ru |
| dc.relation.references | Пат. 2402103 Российская Федерация, МПК H 01 L 21/316. Способ пассивации поверхности GaAs. / Ерофеев Е. В., Ишуткин С. В., Кагадей В. А., Носаева К. С.; заявитель и патентообладатель ЗАО «Научно-производственная фирма Микран». – №2009133993/28 ; заявл. 10.09.09 ; опубл. 20.10.10, Бюл. № 29. | ru |
| dc.relation.references | Нисков В. Я. Измерение переходного сопротивления омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков // Приборы и техника эксперимента. – 1971. – № 1. – С. 235 – 237. | ru |
| dc.relation.references | Нисков В. Я. Сопротивление омических контактов к тонким слоям полупроводников / В. Я. Нисков,
Г. А. Кубецкий // Физика и техника полупроводников. – 1970. – Т. 4, № 9. – С. 1806 – 1808. | ru |
