Дослідження давачів на базі L-, C-негатронів

Abstract

Досліджена чутливість електронних кіл з L-, C-негатронами. На базі одержаних теоретичних положень розроблені та досліджені схеми індуктивного та ємнісного давачів з L-, C-негатронами. Показано, що чутливість таких давачів в 20-30 разів більша у порівнянні до прототипів.

An analysis of the sensitivity of electronic circuits with L-, C-negatrons was carried out. On the basis of the obtained theoretical positions, the schemes of inductive and capacitive sensors with L- and C-negatrons were developed and investigated. It is shown that the sensitivity of such sensors is 20-30 times larger in comparison with prototypes.