| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.contributor.author | Боржемський, С. Ю. | uk |
| dc.date.accessioned | 2019-12-04T21:38:04Z | |
| dc.date.available | 2019-12-04T21:38:04Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Слободян, І. В. Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R [Електронний ресурс] / І. В. Слободян, С. Ю. Боржемський // Матеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13-15 березня 2019 р. – Електрон. текст. дані. – 2019. – Режим доступу: https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2019/paper/view/6656. | uk |
| dc.identifier.uri | https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/26931 | |
| dc.description.abstract | У даній роботі наведено нові дані часового коливання параметрів комірок пам’яті таких, як порогова напруга Un
та опір аморфної фази R. Отримані результати доповнюють інформацію про відхилення робочих параметрів
пам’яті РСМ. Показано залежність порогової напруги Un і опору аморфної фази R від часу t. | uk |
| dc.description.abstract | In this paper, new data is given on the time variation of memory cell parameters such as threshold voltage Un and resistance of amorphous phase R. These results supplemente the information on the deviation of the working parameters of the memory of the PCM. The dependence of the threshold voltage Un and resistance of the amorphous phase R on time t is shown. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Матеріали XLVIII науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 13-15 березня 2019 р. | uk |
| dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2019/paper/view/6656 | |
| dc.subject | комірка пам’яті | uk |
| dc.subject | халькогенідний склоподібний напівпровідник (ХСН) | uk |
| dc.subject | залежність параметрів | uk |
| dc.subject | memory cell | en |
| dc.subject | chalcogenide glassy semiconductor (CGS) | en |
| dc.subject | dependence of parameters | en |
| dc.title | Аналіз перемикання фазових станів плівки ХСН при зміні прикладеної напруги Un від часу t та опору аморфної фази R | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 621.397 | |
| dc.relation.references | D. A. Baker, M. A. Paesler, G. Lucovsky, S. C. Agarwal, and P. C. Taylor. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys. / W. Wenic, A. Pamungkas, R. Detemple, C. Steimer, S. Blugel, and M. Wuttig, Nat. Mater. 5 // Phys. Rev. Lett. 96, p.56, 2006. | en |
| dc.relation.references | S. R. Ovshinsky, Reversible Electrical Switching Phenomena in Disordered Structures. // Phys. Rev. Lett. 21, p.1450, 1968. | en |
| dc.relation.references | V. G. Karpov, Y. A. Kryukov, S. D. Savransky, and I. V. Karpov, Nucleation switching in phase change memory // Appl. Phys. Lett. 90, p.504, 2007. | en |
