Індуктивний ефект в напівпровідникових транзисторах

Abstract

Проаналізовано процес виникнення індуктивного ефекту в напівпровідникових приладах, зокрема, в біполярних транзисторах. Наведено прості математичні моделі еквівалентів індуктивності на базі біполярних структур транзистора та проаналізовано можливість лабораторного дослідження таких транзисторів.

The process of occurrence of inductive effect in semiconductor devices, in particular, in bipolar transistors, is analyzed. Simple mathematical models of inductance equivalents based on transistor bipolar structures are presented and the possibility of laboratory research of such transistors is analyzed.