| dc.contributor.author | Осадчук, В. С. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Я. О. | uk |
| dc.contributor.author | Думенко, Д. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2021-05-27T07:46:35Z | |
| dc.date.available | 2021-05-27T07:46:35Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.identifier.citation | Аналіз основних параметрів транзисторних аналогів індуктивності [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук, Д. О. Думенко // Матеріали L науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 10-12 березня 2021 р. – Електрон. текст. дані. – 2021. – Режим доступу:
https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2021/paper/view/11431. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/32195 | |
| dc.description.abstract | В роботі представлено аналіз основних фізичних параметрів транзисторних аналогів індуктивностей НВЧ діапазону на основі реактивних властивостей транзисторних схем. Отримано аналітичний вираз для визначення вхідного опору транзисторного індуктивного елемента. Розраховано залежності вхідного опору, індуктивності та добротності для транзисторів типу 2N4390 та 2N5774 від струму емітера. | uk |
| dc.description.abstract | The paper presents an analysis of the main physical parameters of transistor analogs of microwave inductors based
on the reactive properties of transistor circuits. An analytical expression for determining the input resistance of a
transistor inductive element is obtained. The dependences of the input resistance, inductance and quality factor for
transistors of type 2N4390 and 2N5774 on the emitter current are calculated | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.relation.ispartof | Матеріали L науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 10-12 березня 2021 р. | uk |
| dc.relation.uri | https://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2021/paper/view/11431 | |
| dc.subject | еквівалентна індуктивність | uk |
| dc.subject | реактивні властивості | uk |
| dc.subject | від'ємний динамічний диференційний
опір | uk |
| dc.subject | equivalent inductance | en |
| dc.subject | reactive properties | en |
| dc.subject | negative dynamic differential resistance | en |
| dc.title | Аналіз основних параметрів транзисторних аналогів індуктивності | uk |
| dc.type | Thesis | |
| dc.identifier.udc | 681.2.08 | |
| dc.relation.references | Saeid Taghizadeh, Maryam Taghizadeh, Parisa Taghizadeh, Abbas Kamaly, Seyed Ali Emamghorashi.
Design of a New LC VCO using Active Inductor// International Journal of Computer Sciences and
Engineering. 2016. Volume-4, Issue-12. –P.27-30. | en |
| dc.relation.references | Omar Faruqe, Md Tawfiq Amin. Active Inductor with Feedback Resistor Based Voltage Controlled
Oscillator Design for Wireless Applications // INTL JOURNAL OF ELECTRONICS AND
TELECOMMUNICATIONS, 2018, VOL. 65, NO. 1, PP. 57-64 | en |
| dc.relation.references | Осадчук В.С. Индуктивный эффект в полупроводниковых приборах : монографія. – Киев : Вища
школа, 1987. – 155 с. | ru |
| dc.relation.references | Осадчук В. С., Осадчук А. В. Реактивные свойства транзисторов и транзисторных схем. – Винница:
«Универсум-Винница», 1999. - 275 с. | ru |
| dc.relation.references | Осадчук В. С., Осадчук А. В. Напівпровідникові прилади з від’ємним опором. –Вінниця: ВНТУ,
2006. – 162 с | ru |
