Радіовимірювальний оптичний перетворювач на основі біполярно-польової транзисторної структури з від'ємним опором

Abstract

У магістерській кваліфікаційній роботі розглянуто теоретичні методи аналізу та побудови оптико-частотних радіовимірювальних перетворювачів потужності. У першому розділі проведено аналіз проблеми, яка виникла на сучасному етапі розвитку науки та вирішено, що потрібно зробити для досягнення поставленої мети. У другому розділі проводилось дослідження властивостей оптичних перетворювачів, розроблено математичну модель оптичного перетворювача, яка б враховувала вплив оптичного випромінювання на основні параметри транзисторної структури. На основі математичної моделі отримано вольт-амперну характеристику перетворювача, залежність активної і реактивної складової повного опору, зміни частоти генерації від оптичного випромінювання та режимів живлення. У третьому розділі проведено експериментальне дослідження радіовимірювального оптичного перетворювача на основі біполярно-польової транзисторної структури з від'ємним опором, а також проведено оцінювання метрологічних параметрів оптичних перетворювачів.

In the master's qualification work the theoretical methods of analysis and construction of opto-frequency radio-measuring power converters are considered. The first section analyzes the problem that arose at the present stage of the development of science and resolves what needs to be done to achieve the goal. In the second section we studied the properties of optical transducers, developed a mathematical model of the optical converter, which would take into account the influence of optical radiation on the main parameters of the transistor structure. On the basis of the mathematical model, the voltage-ampere characteristic of the converter is obtained, the dependence of the active and reactive component of the complete resistance, the change of the frequency of generation from optical radiation and power regimes. In the third section an experimental study of radio-measuring optical transducer on the basis of a bipolar-field transistor structure with negative resistance was conducted, as well as an estimation of metrological parameters of optical transducers.