Теплові ефекти при взаємодії потужного лазерного випромінювання з поверхнею напівпровідникових матеріалів

Abstract

Досліджено процес розігріву поверхні твердого тіла кількома лазерними пучками, що створюють на його поверхні одно– та двомірну інтерференційні картини. Показано, що за допомогою інтенсивного лазерного випромінювання можна проводити мікро–нано структурування поверхні напівпровідників. Встановлено, що фемтосекундними лазерними імпульсами можна ефективно прогрівати зразки кристалічного кремнію товщиною до 20 мкм. Ключові слова: лазерне випромінювання, температура, напівпровідник, лазер-індуковані структури, поверхня, наноструктури, абляція.

The process of warming-up of surface of solid a few laser beams formative on his surface one and two-dimensional interference pattern is investigated. It is shown that by means of intensive laser radiation it is possible to produce` the surface structures of semiconductors. It is set that femtosecond laser pulse it is possible effectively to heat of crystalline silicon laser in thick to 20 µm.