Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті
| dc.contributor.advisor | Семеpенкo, В. П. | uk |
| dc.contributor.author | Вoйнaлoвич, О. Ю. | uk |
| dc.date.accessioned | 2021-09-13T08:11:26Z | |
| dc.date.available | 2021-09-13T08:11:26Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.identifier.citation | Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті [Електронний ресурс] : [презентація] / викон. О. Ю. Вoйнaлoвич ; Вінницький національний технічний університет ; Факультет інформаційних технологій та комп’ютерної інженерії ; Кафедра обчислювальної техніки. – Електронні текстові дані (1 файл: 0,80 Мбайт). – Вінниця, 2019. – Назва з екрана. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/33430 | |
| dc.description | Науковий кеpівник: канд. техн. наук, доцент Семеpенкo В. П. | uk |
| dc.description.abstract | Магістерська дипломна робота присвячена дослідженню засобів покращення завадостійкості напівпровідникових пристроїв пам’яті, методів та способів підвищення контролю напівпровідникових пристроїв пам’яті. Дані методи дозволяють виправляти помилки в напівпровідникових пристроях пам’яті за допомогою корегуючих кодів. В роботі проведено аналіз критеріїв коректувальної здатності лінійних блокових кодів. Показано, що для ітеративних детермінованих кодів мінімальна кодова відстань зростає зі збільшенням кількості ітерацій. Запропоновано спосіб підвищення коректувальної здатності на прикладі кода Елаєса. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | ітеративний код | uk |
| dc.subject | код Елаєса | uk |
| dc.subject | кодова відстань | uk |
| dc.subject | пристрій пам’яті | uk |
| dc.subject | завадостійкість | uk |
| dc.subject | 123 | |
| dc.title | Зaсoби пoкpaщення відмoвoстійкoсті у нaпівпpoвідникoвій пaм’яті | uk |
| dc.type | Presentation |