| dc.contributor.author | Ліщинська, Л. Б. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-15T14:05:18Z | |
| dc.date.available | 2016-01-15T14:05:18Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Ліщнська, Л. Б. Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу [Текст] / Л. Б. Ліщнська // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2010. - № 2. - С. 131-134. | uk |
| dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.uri | http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/182 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3376 | |
| dc.description.abstract | Розроблено методи оптимізації багатоелектродної напівпровідникової структури, використовуваної як перетворювач імітансу; сформульована цільова функція оптимізації, розроблено критерії оптимізації та проведена порівняльна оцінка їх переваг і недоліків. | uk |
| dc.description.abstract | Разработаны методы оптимизации многоэлектродной полупроводниковой структуры, используемой как преобразователь иммитанса; сформулирована целевая функция оптимизации, разработаны критерии оптимизации и проведена сравнительная оценка их преимуществ и недостатков. | ru |
| dc.description.abstract | The methods of optimization of multielectrode semiconductor structure, in-use as a transformer of immittance is developed; the objective function of optimization is formulated, the criteria of optimization are developed and the comparative estimation of their advantages and failings is conducted. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | імітанс | uk |
| dc.subject | узагальнений перетворювач імітансу | uk |
| dc.subject | оптимізація | uk |
| dc.subject | напівпровідникова структура | uk |
| dc.title | Методи оптимізації напівпровідникової структури для однокристальних узагальнених перетворювачів імітансу | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621. 382 | |
