Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors

Abstract

У роботі розглянуто основи теорії фотореактивного ефекту в біполярних і польових транзисторних структурах. Фотореактивні властивості напівпровідникових приладів широко використовуються в різноманітних радіоелектронних пристроях. Тому вивчення цих явищ у біполярних транзисторних структурах з від'ємним опором дає змогу створювати нові сенсорні пристрої, що мають кращі параметри, ніж наявні. Запропоновано метод побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів на основі фотореактивного ефекту в чутливих біполярних і польових транзисторних структурах, який створив передумови для втілення перетворювачів оптичного випромінювання з частотним вихідним сигналом.The paper deals with the fundamentals of the theory of photoreactive effect in bipolar and field-effect transistor structures. Photoreactive properties of semiconductor devices are widely used in a variety of radio electronics devices. Therefore, the study of these phenomena in bipolar transistor structures with negative resistance, allows us to create new sensory devices, which have better parameters than existing ones. The method of construction of radiomeasuring microelectronic transducers is offered on the base of photoreactive effect in sensing bipolar and field transistor structures, that has established premises for embodying transducers of optical radiation with a frequency output signal.