Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Анотація
В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Исследуется влияние ионного травления поверхностей кремния на основные параметры фотодиодов, изготовленых на этих поверхностях.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.
Исследуется влияние ионного травления поверхностей кремния на основные параметры фотодиодов, изготовленых на этих поверхностях.
Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated.
Опис
Ключові слова
Тип документа
Мова
Є частиною
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Житарюк, В. Г. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію [Текст] / В. Г. Житарюк, В. М. Годованюк, І. В. Докторович // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2009. - № 1. - С. 137-140.