| dc.contributor.author | Житарюк, В. Г. | uk |
| dc.contributor.author | Годованюк, В. М. | uk |
| dc.contributor.author | Докторович, І. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-15T14:15:03Z | |
| dc.date.available | 2016-01-15T14:15:03Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.identifier.citation | Житарюк, В. Г. Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію [Текст] / В. Г. Житарюк, В. М. Годованюк, І. В. Докторович // Оптико-електроннi iнформацiйно-енергетичнi технологiї. - 2009. - № 1. - С. 137-140. | uk |
| dc.identifier.issn | 2311-2662 | |
| dc.identifier.issn | 1681-7893 | |
| dc.identifier.uri | http://oeipt.vntu.edu.ua/index.php/oeipt/article/view/92 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/3482 | |
| dc.description.abstract | В роботі досліджується вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях. | uk |
| dc.description.abstract | Исследуется влияние ионного травления поверхностей кремния на основные параметры фотодиодов, изготовленых на этих поверхностях. | ru |
| dc.description.abstract | Influence of ion etching of surfaces of silicon plates on the principal parameters of photodiodes made on these surfaces is investigated. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | фотоелектричний приймач | uk |
| dc.subject | кремній | uk |
| dc.subject | параметри поверхні | uk |
| dc.subject | іонне травлення | uk |
| dc.subject | оптичне випромінювання | uk |
| dc.title | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.317.799.2 | |
