| dc.contributor.author | Кичак, В. М. | uk |
| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.contributor.author | Вовк, В. Л. | uk |
| dc.date.accessioned | 2022-10-11T12:14:57Z | |
| dc.date.available | 2022-10-11T12:14:57Z | |
| dc.date.issued | 2020 | |
| dc.identifier.citation | Кичак В. М. Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник НТУУ "КПІ". Серія «Радіотехніка, Радіоапаратобудування». – 2020. – Вип. 80. – С. 79-84. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/35819 | |
| dc.description.abstract | Запропоновано структуру комiрки пам’ятi, в якiй як елемент розв’язки, використовується тонкоплiвковий польовий транзистор (ТПТ) з бар’єром Шотткi на базi аморфного напiвпровiдника (АН), а
як перемикаючий елемент - плiвка халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника. Розроблена фiзична модель комiрки пам’ятi. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» | uk |
| dc.relation.ispartof | Вісник НТУУ "КПІ". Вип. 80 : 79-84. | uk |
| dc.subject | аморфний напiвпровiдник | uk |
| dc.subject | халькогенiднi склоподiбнi напiвпровiдники | uk |
| dc.subject | радiацiйна стiйкiсть | uk |
| dc.subject | комiрка пам’яті | uk |
| dc.subject | доза опромiнення | uk |
| dc.subject | плiвковий польовий транзистор | uk |
| dc.subject | перехiд Шотткi | uk |
| dc.title | Радiацiйностiйкий запам’ятовуючий пристрiй на базi халькогенiдного склоподiбного напiвпровiдника | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.3.04977.001 | |
| dc.identifier.doi | 10.20535/RADAP.2020.80.79-84 | |
