Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму
Вантажиться...
Файли
Дата
Науковий керівник
Редактор
Інші учасники
Відповідальний
ORCID
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
DOI
Альтернативна назва
Noise model of field-effect transistors for predicting their reliability by low-frequency noise level
Анотація
У статті проаналізовано внутрішні шуми польових транзисторів, а також запропоновано шумову модель із врахуванням елементів схеми вмикання. Проведено дослідження залежності шумової напруги польового транзистора від режиму роботи та визначено області допустимих значень шумової напруги, в межах якої польовий транзистор є надійним.
Опис
УДК
Тип документа
Мова
Є частиною
ISSN
Посилання на публікацію
Серія, номер
ISBN
ББК
Інші ідентифікатори
Пов’язані матеріали
Спонсорська підтримка
Правовласник
Бібліографічний опис
Кичак В. М. Шумова модель польових транзисторів для прогнозування їх надійності за рівнем низькочастотного шуму [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, Д. В. Михалевський, О. В. Крупський // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2009. - № 4. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/176.