Дослідження властивостей n-p-n транзистору в схемі спільний емітер

Іванна Петрівна Бриндак; <p align="JUSTIFY"><span style="font-size: small;"><span style="color: #000000;"><span><span style="font-family: 'Times New Roman', serif; Володимир Сергійович Бєлов; <p align="JUSTIFY"><span style="font-size: small;"><span style="color: #000000;"><span><span style="font-family: 'Times New Roman', serif

Автор

Іванна Петрівна Бриндак; <span style="font-family: 'Times New Roman', serif

Володимир Сергійович Бєлов; <span style="font-family: 'Times New Roman', serif

Дата

2019

Metadata

Показати повну інформацію

Collections

Молодь в науці: дослідження, проблеми, перспективи (МН-2019) [453]

Анотації

Проведено дослідження властивостей транзистора N-P-N структури на прикладі КТ817Б.

The properties of the N-P-N structure transistor are studied on the example of KT817B. Input and output characteristics were obtained, current transmission coefficients and voltage amplification were analyzed.

URI:

https://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/44905

Відкрити

6184.pdf (141.8Kb)