Аналіз «якості» однокристальних конверторів імітансу

Abstract

У статті розроблено математичні моделі УПІ, що враховують залежності їх перетворених імітансів від фізичних параметрів транзисторів, а також проведено дослідження залежностей якості STk αi від фізичних параметрів вищеозначених транзисторів.