Розподіл концентрації інжектованих носіїв заряду в базовій області при дії магнітного поля в біполярних магніточутливих структурах

Abstract

Показано вплив магнітного поля на розподіл концентрації носіїв заряду в базовій області біполярних магніточутливих структурах. Отримано теоретичні залежності параметрів біполярних транзисторів з урахуванням цього впливу.