Мікроелектронний сенсор із частотним виходом для визначення часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті

Abstract

У технологіях виготовлення напівпровідникових приладів використовують різні методи дослідження їхніх параметрів, які оцінюють за зміною структурно-чутливих електричних параметрів – дифузійної довжини пробігу нерівноважних носіїв заряду LD та часу їхнього життя τ [4]. Відомі методики [1] визначення цих параметрів дозволяють визначити LD і τ для об'єму напівпровідників, тому важливим завданням цієї роботи було вивчити можливості визначення τ за допомогою перетворення напруги в частоту. Подальший аналіз та обробка частотного сигналу дозволяє підвищити точність визначення τ. При цьому розглядали методику вимірювання часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті.