Усунення насичення струмом в області негативної диференціальної провідності

Abstract

У роботі розглянуто проблему насичення струму в області негативної диференціальної провідності в резонансно-тунельних діодах (RTD), яка виникає в традиційних компактних моделях. Запропоновано нову ненасичуючу модель, що базується на використанні модифікованої функції з асимптотичною поведінкою вищого порядку, яка точніше описує профіль прозорості тунельного бар’єра.

The paper deals with the problem of current saturation in the negative differential conduction region in resonant tunnel diodes (RTDs), which arises in traditional compact models. A new non-saturating model based on the use of a modified function with higher-order asymptotic behaviour is proposed, which more accurately describes the transparency profile of the tunnel barrier.