Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн

Abstract

Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмуванняенергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкістьувімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.