Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
| dc.contributor.author | Слободян, І. В. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-01-21T12:10:38Z | |
| dc.date.available | 2016-01-21T12:10:38Z | |
| dc.date.issued | 2014 | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Слободян І. В. Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн [Електронний ресурс] / І. В. Слободян // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2014. - № 3. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/417. | uk |
| dc.identifier.issn | 2307-5376 | |
| dc.identifier.uri | http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/417 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4803 | |
| dc.description.abstract | Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмуванняенергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкістьувімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою. | uk |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ВНТУ | uk |
| dc.subject | зміна фази | uk |
| dc.subject | швидкість увімкнення-вимкнення | uk |
| dc.subject | кристалізація-аморфізація | uk |
| dc.title | Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.397 |
Файли в цьому документі
Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)
-
Наукові праці ВНТУ. 2014. № 3 [10]
-
Наукові роботи каф. ІКСТ [422]
статті, матеріали конференцій