Швидкість програмування енергонезалежної пам’яті на базі хсн
Аннотации
Проведено дослідження впливу низки чинників на швидкість програмуванняенергонезалежної пам’яті (ЕНП) на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН).Описано метод визначення швидкості програмування для ввімкнення пристрою (кристалізація,низькоомний стан) і вимкнення (аморфізація, високооомний стан). Також показано, що швидкістьувімкнення (вимкнення) ЕНП переважно залежить від електричного контакту пристрою.
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/417
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/4803