Показати скорочену інформацію

Аналіз характеристик активних індукторів від базової реалізації до індуктора ліанга

dc.contributor.authorХльоба, А. А.uk
dc.contributor.authorСеменов, А. О.uk
dc.date.accessioned2025-10-10T07:54:35Z
dc.date.available2025-10-10T07:54:35Z
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationuk
dc.identifier.urihttps://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/49715
dc.description.abstractУ роботі наведено огляд існуючих досліджень щодо реалізації активної індуктивності на МОНтранзисторах, яку можна використовувати у генераторах керованих напругою (ГКН) замість спіральних або зовнішніх пасивних елементів які займають значну площу. Послідовний розвиток індукторів і порівняння їх характеристик дозволяє виявити кращого існуючого кандидата на даний час для реалізації ГКН.uk
dc.description.abstractThe paper provides an overview of existing studies on the implementation of active inductance on MOSFETs, which can be used in voltage-controlled oscillators (VCO) instead of spiral or external passive elements that occupy a significant area. Consistent development of inductors and comparison of their characteristics allows us to identify the best existing candidate for the realization of VCO.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherВНТУuk
dc.relation.ispartof// Матеріали LIV Всеукраїнської науково-технічної конференції підрозділів ВНТУ, Вінниця, 24-27 березня 2025 р.uk
dc.relation.urihttps://conferences.vntu.edu.ua/index.php/all-frtzp/all-frtzp-2025/paper/view/23863
dc.subjectактивна індуктивністьuk
dc.subjectіндукторuk
dc.subjectгіраторuk
dc.subjectМОН-транзисторuk
dc.subjectГКНuk
dc.subjectЛін-Пейнuk
dc.subjectВенг-Куоuk
dc.subjectТаначинонт-Пейнuk
dc.subjectЙодпрасіт-Нгармнілuk
dc.subjectМанетакісuk
dc.subjectЛіангuk
dc.subjectactive inductanceuk
dc.subjectinductoruk
dc.subjectgyratoruk
dc.subjectMOSFETuk
dc.subjectVCOuk
dc.subjectLin-Payneuk
dc.subjectWeng-Kuouk
dc.subjectThanachayanont-Payneuk
dc.subjectYodprasit-Ngarmniluk
dc.subjectManetakisuk
dc.subjectLianguk
dc.titleАналіз характеристик активних індукторів від базової реалізації до індуктора ліангаuk
dc.typeThesis
dc.identifier.udc621.373.52
dc.relation.referencesAstro B.R. A PVT Compensated Active Inductor Based VCO on SOI CMOS Technology. National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics, Tonantzintla, 2011, 123 p.
dc.relation.referencesYuan F. CMOS Active Inductors and Transformers. Boston, MA : Springer US, 2008. DOI: https://doi.org/10.1007/978-0-387-76479-5
dc.relation.referencesComparative analysis and simulation of active inductors for RF applications in 90 nm CMOS / O. Faruqe et al. 2017 3rd International Conference on Electrical Information and Communication Technology (EICT), Khulna, 79 December 2017. 2017. DOI: https://doi.org/10.1109/eict.2017.8275233
dc.relation.referencesDhuri R.S. Design of CMOS Active Inductors and their use in tuned narrowband and widebandextension Low Noise Amplifier. Final Year Project. Escola Tcnica Superior dEnginyeria Industrial de Barcelona, 2014. 81 p.
dc.relation.referencesWideband CMOS analog cells for video and wireless communications / K. Manetakis et al. Third International Conference on Electronics, Circuits, and Systems, Rodos, Greece. DOI: https://doi.org/10.1109/icecs.1996.582784
dc.relation.referencesLiang K. H. CMOS RF Band-Pass Filter Design Using the High Quality Active Inductor. IEICE Transactions on Electronics. 2005. E88-C, no. 12. P. 23722376. DOI: https://doi.org/10.1093/ietele/e88c.12.2372
dc.relation.referencesFaruqe O., Amin M. T. Active Inductor with Feedback Resistor Based Voltage Controlled Oscillator Design for Wireless Applications. International Journal of Electronics and Telecommunications. 2023. URL: https://doi.org/10.24425/ijet.2019.126283


Файли в цьому документі

Thumbnail
Ім'я:
23863.pdf
Розмір:
900.2Kb
Формат:
PDF
Відкрити

Даний документ включений в наступну(і) колекцію(ї)

Показати скорочену інформацію