Елементарна комірка оптичного транспаранта для оптоелектронних обчислювальних комплексів на seed-структурах

Abstract

Досліджено та проаналізовано оптичні властивості напівпровідникових матеріалів групи АІІІBV для реалізації SEED-структури. SEED-структура розглядається як один з можливих варіантів виконання елементарної комірки оптичного транспаранта. Розглянуто такі оптичні властивості напівпровідників як поглинання, пропускання та відбиття в залежності від довжини хвилі випромінювання, яким освітлюється транспарант. Виконано розрахунок коефіцієнта поглинання на вільних носіях заряду для напівпровідників групи АІІІВV.

Исследованы и проанализированы оптические свойства полупроводниковых материалов группы АІІІBV для реализации SEED-структуры. SEED-структура рассматривается как один из возможных вариантов исполнения элементарной ячейки оптического транспаранта. Рассмотрены такие оптические свойства полупроводников как поглощение, пропускание и отражение в зависимости от длины волны излучения, которым освещается транспарант. Произведен расчет коэффициента поглощения на свободных носителях заряда для полупроводников группы АІІІВV.

The given paper studies and analyzes optical properties of semiconductor structures intended for realization of SEED-device. SEED-structure is considered as one of possible vertions of implementation of optical transpara elementary cell. The paper considers such optical properties as absorption, transmission and refraction depending on radiation wavelength. Calculation of absorption factor of the material on free charge carries for group AIIIBV semiconductors is completed.