Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу

Abstract

Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.

Проведен анализ фотореактивного эффекта в МДП-транзисторных структурах с двусторонним освещением канала на основе решения уравнение непрерывности носителей заряда в канале транзистора при воздействии света, что дало возможность теоретически рассчитать полное сопротивление канала и получить аналитическую зависимость его составляющих от мощности оптического излучения.

The analysis of photoreactive effect in the field-effect transistor structures with bilateral illumination of the channel on the basis of the solution of equation of continuity of charge transmitters in the channel of transistor under the influence of light is conducted. It enabled the possibility to calculate in theoretically complete resistance of the channel and obtain analytical dependence of its constituents on power of optical radiation.