| dc.description.abstract | В навчальному посібнику розглянуто фізичні процеси, які проті-
кають в біполярних і польових транзисторах. Визначені вольт-
амперні характеристики в статичному і динамічному режимах, пара-
метри приладів, їх залежність від режимів живлення. Проаналізовано
частотні й імпульсні характеристики транзисторів, представлено мо-
делі та еквівалентні схеми. Показано вплив високого рівня інжекції
на повний опір базової області біполярних транзисторів. Розглянуто
конструкції і принципи роботи діодних і тріодних тиристорів, фізич-
ну природу обмежувальних ефектів, способи вмикання і вимикання,
визначена максимальна робоча частота. Значна увага приділена роз-
гляду роботи і конструкціям потужних біполярних і польових тран-
зисторів, їх геометрії, технологічним аспектам виготовлення МДН-
транзисторів. Успіхи вертикальної і горизонтальної технології виго-
товлення напівпровідникових структур відкрили широкі можливості
створення нових твердотілих НВЧ приладів таких як транзистори з
металічною базою, статичні індукційні транзистори, транзистори з
об’ємним потенційним бар’єром, монолітні транзистори на гарячих
електронах. Розглянуто перспективи використання багатошарових
гетероструктур в електроніці. Навчальний посібник містить лабора-
торний практикум, який дозволить студентам краще засвоїти викла-
дений в лекціях матеріал. | uk |
