Дослідження повного опору магніточутливого тиристора

Abstract

Розроблено математичну модель магніточутливого тиристора, що дає змогу розрахувати зміну повного опору при дії магнітного поля. Магнітотиристор подано у вигляді еквівалентної схеми, яка складається з двох магнітотранзисторів. На основі аналітичних виразів для параметрів магнітотранзисторів отримано графічні залежності активної та реактивної складових повного опору магнітотиристора, які підтверджуються експериментальними даними.A mathematical model magnetosensitive thyristor had designed. It allows to calculate the change in impedance when exposed to a magnetic field. Magnitotiristor represented as an equivalent circuit consisting of two magnetotransistor. On the basis of analytical expressions for the parameters o