| dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
| dc.contributor.author | Осадчук, Я. О. | uk |
| dc.date.accessioned | 2016-02-18T12:20:41Z | |
| dc.date.available | 2016-02-18T12:20:41Z | |
| dc.date.issued | 2013 | |
| dc.identifier.citation | Осадчук О. В. Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах [Текст] / О. В. Осадчук, Я. О.Осадчук // Науковий вісник КУЕІТУ "Нові технології". - 2013. - № 3-4. - С. 64-72. | uk |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/8403 | |
| dc.description.abstract | The paper presents a mathematical model of deformation effects in MOS transistor that is used as an element in tenzosensitive of pressure transducer with a frequency output . On the basis of a mathematical model designed dependence of the threshold voltage, saturation voltage, gate-source voltage of the pressure action. Most dependence of these parameters on the pressure observed at work MOS transistor in saturation at high
pressures greater than 108 Pa. | en |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління | uk |
| dc.subject | від'ємний опір | uk |
| dc.subject | транзисторна структура з від'ємним опором | uk |
| dc.subject | тиск | uk |
| dc.subject | вага | uk |
| dc.subject | частотний вимірювальний перетворювач | uk |
| dc.subject | deformation effect | en |
| dc.subject | frequency sensator | en |
| dc.subject | tensor sensible element | en |
| dc.title | Теоретичні основи деформаційного ефекту в МДН-транзисторних структурах | uk |
| dc.type | Article | |
| dc.identifier.udc | 621.382 | |
