Сучасний стан розвитку методів вхідного контролю структурно-чутливих параметрів некристалічних напівпровідників

Abstract

Вхідний контроль завжди відносився до числа першочергових заходів, що забезпечують необхідну якість готової продукції. Проте в сучасних умовах необхідно змінювати сам підхід до реалізації вхідного контролю. Непрямі методи контролю молекулярної структури полягають у вимірюваннях структурно-чутливих характеристик матеріалу, на основі яких робиться висновок про його будову. Одним з таких методів, що несе найбільшу інформативність, дозволяє здійснювати оперативний контроль в процесі промислового виробництва, а також є найбільш чутливим до структурних змін напівпровідників є диференційно-термічний аналіз.