• English
    • українська
  • українська 
    • English
    • українська
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Кафедра інформаційних радіоелектронних технологій і систем
  • Наукові роботи каф. ІРТС
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Частотний оптичний перетворювач з фототранзистором та активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів

Автор
Селецька, О. О.
Осадчук, О. В.
Осадчук, В. С.
Звягін, О. С.
Селецкая, Е. А.
Осадчук, А. В.
Осадчук, В. С.
Звягин, О. С.
Seletska, O. O.
Osadchuk, V. S.
Osadchuk, O. V.
Zviahin, O. S.
Дата
2014
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Наукові роботи каф. ІРТС [781]
Анотації
Розроблено математичну модель частотного оптичного перетворювача з фототранзистором та активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів, яка складається з біполярного і МДН¬ транзисторів та двох фототранзисторів в якості фоточутливих елементів, на основі якої отримано аналітичні залежності для функції перетворення та рівняння чутливості.травлення малих площин.
 
Разработана математическая модель частотного оптического преобразователя с фототранзистором и активным индуктивным элементом для контроля плазмохимических процессов, состоящая из биполярного и МДН¬ транзисторов и двух фототранзисторов в качестве фоточувствительных элементов, на основе которой получены аналитические зависимости для функции преобразования и уравнение чувствительности травления малых плоскостей.
 
This work presents optical transducer with frequency output on the basis of semiconductor structures with negative resistance, the principle of which operation is based on the functional connection of reactive properties of transistor structures with negative resistance from the effects of illumination of plasma light, which enables creation and development competitive is models of this production. The mathematical model of frequency optical transducer composed of bipolar and mosfet transistors with photo transistor as photosensitive element and an active inductive element has been developed. On the base of this model analytical dependences of function of transformation and the equation of sensitivity are received. The frequency optical transducer can be used in the microelectronic industry for plasma chemical etching control systems
 
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/9739
Відкрити
ТЕКСТ.pdf (717.6Kb)

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

ВхідРеєстрація

Статистика

View Usage Statistics

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ