Фізичні параметри синтезованої гетерометалічної комплексної сполуки

Abstract

Розглянуто можливість використання нового синтезованого напівпровідникового матеріалу, як матеріалу, чутливого до впливу температури та магнітного поля. Показано синтез гетерометалічного µ-ізопропоксо (мідь (II), вісмуту (III)) ацетилацетонату (I).

Consider using a new synthesized semiconductor material as a material sensitive to the effects of temperature or magnetic field. The synthesis of heterometallic µ-isopropoxo (cupper(II), bismuth(III)) acetylacetonate (I) is shown.