Факультет інформаційних електронних систем: Недавні надходження
Відображеня елементи 1621-1640 із 3348
-
Отражение взглядов А.С. Пушкина на собственное творчество в зеркале его сочинений
(Винницкий государственный педагогический университет им. М. М. Коцюбинского, 1999)В статье анализируются произведения известнейшего русского поэта А.С. Пушкина о поэте, о его судьбе, о его отношениях с миром и с самим собой. Исследуется вопрос об автобиографизме творчества А.С. Пушкина. Рассматривается ... -
Исторические воззрения Ф.М. Достоевского и их преломление в цикле хроник Д. Балашова о "Государях Московских"
(Вінницький політехнічний інститут, 1996)В статье анализируются исторические воззрения Ф.М. Достоевского, их преломление в цикле хроник Д. Балашова "Государи московские" -
Особливості канального та фізичного рівнів технології MIMO для стандарту 802.11
(Одесса : Куприенко СВ, 2017)Монография содержит научные исследования авторов в области техники и технологий. Может быть полезна для инженеров, руководителей и других работников предприятий и организаций, а также преподавателей, соискателей, аспирантов, ... -
Керуючий операційний елемент у стандарті 802.11
(Иваново : Научный мир, 2017)В даній роботі продовжено дослідження структури кадрів для сімейства стандартів 802.11х, а саме один із видів службової інформації як операційний елемент. Такий елемент знаходиться у інформаційному полі керуючих кадрів, має ... -
Морально-етичні орієнтири у навчально-виховному процесі ВТНЗ
(Academy of Management and Administration in Opole, 2017) -
Використання краєзнавчих Інтернет-ресурсів у процесі міжкультурної комунікації під час вивчення дисципліни «Країнознавство»
(ГО «Наукова філологічна організація «ЛОГОС», 2017-03)У статті здійснено огляд краєзнавчих Інтернет-ресурсів та з’ясувано специфіку їх використання у процесі вивчення дисципліни «Країнознавство» студентами-іноземцями. -
Критерії визначення лінгвального статусу іменників-юкстапозитів як самостійних лексико-граматичних одиниць
(Житомирський державний університет імені Івана Франка, 2017)У статті заналізовано підходи до визначення типів зв’язку між компонентами іменників-юкстапозитів. Для вивчення структурно-семантичних особливостей іменників-юкстапозитів, з’ясування їхньої словотвірної мотивації, визначення ... -
Пристрій для запису/читання інформації халькогенідного елемента цифрової пам’яті
(Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», 2015)Метою розробки даного пристрою є підвищення надійності та радіаційної стійкості цифрових пристроїв зберігання інформації. Досліди показують, що вплив жорсткого електромагнітного випромінювання наближеного до космічного ... -
Пристрій для читання –запису інформації енергонезалежної комірки пам’яті на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника
(Хмельницький національний університет, 2015)Розглянуто стан і проблеми розвитку енергонезалежних цифрових пристроїв зберігання інформації на базі халькогенідного склоподібного напівпровідника. Запропоновано нову структурну схему пристрою для читання/запису інформації ... -
Система контролю несинхронності обертання електромеханічних перетворювачів
(ВНТУ, 2006)Розглянуто питання побудови та моделювання системи контролю несинхронності обертання на базі якої реалізовано адаптивний алгоритм контролю асинхронності обертання роторних систем. -
Метрологічна атестація засобу вимірювання обертаючих моментів роторних систем з врахуванням міжнародних вимог до оцінювання характеристик якості
(Інженерна академія України, 2014)Запропоновано методику метрологічної атестації засобів вимірювання, яка побудована на основі міжнародних вимог до оцінювання характеристик якості вимірювань, що дає змогу оцінювати міжповірочний інтервал засобів вимірювань ... -
Оцінювання залежності часу затримки від температури та концентрації пасток захоплення в комірці пам’яті на базі ХСН
(Одеська національна академія зв' язку ім О. С. Попова, 2013)Проведені дослідження показують, що при збільшенні температури час затримки перемикання комірки пам’яті на базі ХСН нелінійно зростає, причому, чим більший іонізаційний бар’єр, тим повільніше відбувається зростання. ... -
Дослідження зміни часу перемикання комірки пам’яті на базі ХСН від товщини плівки та перенапруження у зразку
(Хмельницький національний університет, 2012)На основі емісійної моделі зміни фаз плівки халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) у комірці пам’яті розраховано та побудовано графік залежності часу перемикання від товщини зразка при різних значеннях рухливості ... -
Using The Thermal-Field Measurements To Evaluation The Parameters Of The MC Based On AS.
(Національний університет "Львівська політехніка", 2012)In this paper the thermal –field measurements for evaluating the parameters of the memory cell (MC) based on amorphous semiconductor (AS) are used for the analysis of the temperature dependence of differential electrical ... -
Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам’яті на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2011)Проведені дослідження залежності порогово напруги комірки пам’яті від температури для випадку, коли довжина вільного пробігу носіїв заряду (дирок) обмежується їх захопленням пастками. Також проведена оцінка величини перетину ... -
Аналіз швидкодії елемента пам’яті на базі ХСН
(ВНТУ, 2009)У дослідженні аналітично доведено, що процес переходу комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника в запам’ятовуючий стан можна розглядати, як поступове просування струмового каналу від анода до катода. Після досягнення ... -
Запам’ятовуючий пристрій на базі аморфних напівпровідників
(ВНТУ, 2009)У даній праці пропонується використати комірку пам’яті на базі аморфного напівпровідника і транзистора, емітер якого також виготовлений із аморфного напівпровідника. Це підвищує радіаційну стійкість комірки пам’яті. Також ... -
Математична модель комірки пам’яті на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Хмельницький національний університет, 2009)Показано, що вирази, які використовуються для визначення статичної електропровідності та її залежності від температури для випадку, коли переміщення носіїв заряду проходить по локалізованих станах, не дають можливості ... -
Визначення питомого опору запам’ятовуючого пристрою на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників
(Інститут проблем моделювання в енергетиці ім. Г. Є. Глушкова, 2009)Для побудови запам'ятовуючих пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) використовується фізичний ефект перемикання, суть якого полягає в зміні характеру провідності, яка має місце при зміні ...