Захист напівпровідникової пам’яті за допомогою циклічних кодів

Abstract

Розглянуто типи дефектів і моделі м’яких помилок в пристроях динамічної напівпровідникової пам’яті з позицій завадостійкого кодування. Проведено аналіз використання циклічних кодів для різних типів помилок: випадкових, пакетів помилок і байтових помилок. На основі автоматних моделей циклічних кодів запропоновані нові оцінки виявляючої та коректувальної здатності цих кодів. Показано особливості виявлення суцільних пакетів помилок.

Рассмотрены типы дефектов и модели мягких ошибок в устройствах динамической полупроводниковой памяти с позиций помехоустойчивого кодирования. Проведен анализ использования циклических кодов для разных типов ошибок: случайных, пакетов ошибок и байтовых ошибок. На основе автоматных моделей циклических кодов предложены новые оценки обнаруживающей и исправляющей способности этих кодов. Показаны особенности обнаружения сплошных пакетов ошибок.

The types of failures and models of soft errors in dynamic semiconductor memory (DRAM) from point of view of the error correcting codes are considered. The analysis of using of cyclic codes is carried for the different types of errors: random errors, bursts errors and byte errors. The new estimations of detectable and correctable capability of cyclic codes based on their automaton models are introduced. The feature of detecting the full burst errors is shown.