Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом
Author
Осадчук, Володимир Степанович
Осадчук, Олександр Володимирович
Ільченко, Олена Миколаївна
Осадчук, Владимир Степанович
Осадчук, Александр Владимирович
Ильченко, Елена Николаевна
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych
Ilchenko, Olena Mykolaivna
Date
2009-06-25Metadata
Show full item recordCollections
Abstract
Мікроелектронний вимірювач оптичного випромінювання з частотним виходом містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, перший і другий конденсатори, перший і другий резистори, загальну шину. Введено біполярний транзистор, другий МДН-фототранзистор, друге джерело постійної напруги. Перший і другий МДН-фототранзистори виконано з прозорим затворним електродом із ауруму, що є чутливим до випромінювання, а поверхня підкладки вільна від діелектрика, чутлива до випромінювання і має над областю каналу пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне співвідношення: A<S/n, де S - площа каналу, n - число пазів. Микроэлектронный измеритель оптического излучения с частотным выходом содержит первый источник постоянного напряжения, первый МДП- фототранзистор, первый и второй резисторы, первый и второй конденсаторы и общую шину. Введен биполярный транзистор, второй МДП - фототранзистор, второй источник постоянного напряжения. Первый и второй МДП - фототранзисторы исполнены с прозрачным затворным электродом из аурума, который чувствителен к излучению, а поверхность подкладки свободна от диэлектрика, чувствительна к излучению и имеет над областью канала пазы, площадь сечения каждого из которых А удовлетворяет следующему соотношению: A<S/n, где S - площадь канала, n - количество пазов. A microelectronic meter of optical radiation having a frequency output comprises a first source of constant voltage, a first MIS –phototransistor, first and second resistors, a first and second capacitor and a global bus. A bipolar transistor, a second MIS phototransistor and a second dc voltage source are brought. The first and the second MIS phototransistors are made with a transparent gate electrode made of aurum, which is radiation-sensitive. A surface of a support is free of dielectric, radiation-sensitive and has slots above channels aria, sectional area of which A satisfies the proportion A<S/n, where S –channel aria, n- number of slots.
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1448