• українська
    • English
  • English 
    • українська
    • English
  • Login
View Item 
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
  • Frontpage
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • View Item
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом

Author
Осадчук, В. С.
Осадчук, Олександр Володимирович
Білилівська, О. П.
Осадчук, Я. О.
Осадчук, Александр Владимирович
Билиливская, О. П.
Осадчук, Я. А.
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych
Bilylivska, Olha Petrivna
Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych
Date
2015-04-10
Metadata
Show full item record
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [709]
Abstract
Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом, який містить два джерела постійної напруги, генератор електричних коливань на основі польового транзистора, який є термочутливим елементом, обмежувальний резистор, конденсатор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому затвор польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний із першим полюсом першого джерела постійної напруги, підкладка польового транзистора підключена до його витоку, перший вивід конденсатора з'єднаний із першим полюсом другого джерела постійної напруги, другий вивід конденсатора з'єднаний з другими полюсами першого та другого джерел постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що в якості польового транзистора використаний термочутливий польовий двозатворний транзистор, крім того введені біполярний транзистор, другий конденсатор та резистор, причому другий затвор термочутливого польового двозатворного транзистора з'єднаний із емітером біполярного транзистора та першим виводом другого конденсатора, другий вивід якого з'єднаний із базою біполярного транзистора та першим виводом резистора, другий вивід якого з'єднаний із колектором біполярного транзистора, першим виводом першого конденсатора та першим полюсом другого джерела постійної напруги, стік термочутливого польового двозатворного транзистора утворює першу вихідну клему, а його витік підключений до загальної шини.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1481
View/Open
97960.pdf (251.1Kb)

Related items

Showing items related by title, author, creator and subject.

  • Частотний ультразвуковий витратомір газу 

    Осадчук, В. С.; Осадчук, Олександр Володимирович; Жагловська, О. М.; Осадчук, Я. О.; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Я. А.; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014-11-25)
    Частотний ультразвуковий витратомір газу містить дві пари п'єзоперетворювачів, кожна з яких включає випромінюючий та приймаючий п'єзоперетворювачі, що утворюють в акустичному середовищі вимірюваного потоку два однакових ...
  • Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора 

    Осадчук, В. С.; Осадчук, Олександр Володимирович; Білилівська, О. П.; Осадчук, Я. О.; Осадчук, Александр Владимирович; Билиливская, О. П.; Осадчук, Я. А.; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Bilylivska, Olha Petrivna; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014-01-10)
    Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми. Додатково введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий ...
  • Вплив ємності просторового заряду на газореактивний ефект в напівпровідникових сенсорах газу 

    Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, O. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Ya. O.; Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А. (ВНТУ, 2019)
    Розглянуто механізм виникнення просторового заряду в приповерхневій області напівпровідникових сенсорів газу, що приводить до появи диференціальної ємності, яка залежить від концентрації вимірюваних газів. Розв’язок рівняння ...

Institutional Repository

FrontpageSearchHelpContact UsAbout Us

University Resources

JetIQLibrary websiteUniversity websiteE-catalog of VNTU

Browse

All of DSpaceCommunities & CollectionsBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOIThis CollectionBy Issue DateAuthorsTitlesSubjectsTypePublisherLanguageUdcISSNPublicationDOI

My Account

Login

ISSN 2413-6360 | Frontpage | Send Feedback | Help | Contact Us | About Us
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ