• українська
    • English
  • українська 
    • українська
    • English
  • Увійти
Дивитися документ 
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
  • Головна
  • Патенти, авторські свідоцтва
  • Факультет інформаційних електронних систем
  • Дивитися документ
Сайт інституційного репозитарію ВНТУ містить роботи, матеріали та файли, які були розміщені докторантами, аспірантами та студентами Вінницького Національного Технічного Університету. Для розширення функцій сайту рекомендується увімкнути JavaScript.

Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом

Автор
Осадчук, В. С.
Осадчук, Олександр Володимирович
Білилівська, О. П.
Осадчук, Я. О.
Осадчук, Александр Владимирович
Билиливская, О. П.
Осадчук, Я. А.
Osadchuk, Volodymyr Stepanovych
Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych
Bilylivska, Olha Petrivna
Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych
Дата
2015-04-10
Metadata
Показати повну інформацію
Collections
  • Факультет інформаційних електронних систем [709]
Анотації
Мікроелектронний сенсор температури з активним індуктивним елементом, який містить два джерела постійної напруги, генератор електричних коливань на основі польового транзистора, який є термочутливим елементом, обмежувальний резистор, конденсатор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому затвор польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний із першим полюсом першого джерела постійної напруги, підкладка польового транзистора підключена до його витоку, перший вивід конденсатора з'єднаний із першим полюсом другого джерела постійної напруги, другий вивід конденсатора з'єднаний з другими полюсами першого та другого джерел постійної напруги, які утворюють загальну шину, до якої підключена друга вихідна клема, який відрізняється тим, що в якості польового транзистора використаний термочутливий польовий двозатворний транзистор, крім того введені біполярний транзистор, другий конденсатор та резистор, причому другий затвор термочутливого польового двозатворного транзистора з'єднаний із емітером біполярного транзистора та першим виводом другого конденсатора, другий вивід якого з'єднаний із базою біполярного транзистора та першим виводом резистора, другий вивід якого з'єднаний із колектором біполярного транзистора, першим виводом першого конденсатора та першим полюсом другого джерела постійної напруги, стік термочутливого польового двозатворного транзистора утворює першу вихідну клему, а його витік підключений до загальної шини.
URI:
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1481
Відкрити
97960.pdf (251.1Kb)

Пов'язані елементи

Showing items related by title, author, creator and subject.

  • Частотний ультразвуковий витратомір газу 

    Осадчук, В. С.; Осадчук, Олександр Володимирович; Жагловська, О. М.; Осадчук, Я. О.; Осадчук, Александр Владимирович; Осадчук, Я. А.; Osadchuk, Volodymyr Stepanovych; Osadchuk, Oleksandr Volodymyrovych; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014-11-25)
    Частотний ультразвуковий витратомір газу містить дві пари п'єзоперетворювачів, кожна з яких включає випромінюючий та приймаючий п'єзоперетворювачі, що утворюють в акустичному середовищі вимірюваного потоку два однакових ...
  • Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора 

    Осадчук, В. С.; Осадчук, Олександр Володимирович; Білилівська, О. П.; Осадчук, Я. О.; Осадчук, Александр Владимирович; Билиливская, О. П.; Осадчук, Я. А.; Osadchyk, Volodymyr Stepanovych; Osadchyk, Oleksandr Volodymyrovych; Bilylivska, Olha Petrivna; Osadchuk, Yaroslav Oleksandrovych (Державне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ), 2014-01-10)
    Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми. Додатково введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий ...
  • Вплив ємності просторового заряду на газореактивний ефект в напівпровідникових сенсорах газу 

    Осадчук, О. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. О.; Osadchuk, O. V.; Osadchuk, V. S.; Osadchuk, Ya. O.; Осадчук, А. В.; Осадчук, В. С.; Осадчук, Я. А. (ВНТУ, 2019)
    Розглянуто механізм виникнення просторового заряду в приповерхневій області напівпровідникових сенсорів газу, що приводить до появи диференціальної ємності, яка залежить від концентрації вимірюваних газів. Розв’язок рівняння ...

Інституційний репозиторій

ГоловнаПошукДовідкаКонтактиПро нас

Ресурси

JetIQСайт бібліотекиСайт університетаЕлектронний каталог ВНТУ

Перегляд

Всі архівиСпільноти та колекціїЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOIЦя колекціяЗа датою публікаціїАвторамиНазвамиТемамиТипВидавництвоМоваУДКISSNВидання, що міститьDOI

Мій обліковий запис

Вхід

ISSN 2413-6360 | Головна | Відправити відгук | Довідка | Контакти | Про нас
© 2016 Vinnytsia National Technical University | Extra plugins code by VNTU Linuxoids | Powered by DSpace
Працює за підтримки 
НТБ ВНТУ