Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла

Abstract

Сенсор магнітного поля на базі магніторезистора й елемента Холла містить магніторезистор, джерело постійної напруги, резистор, загальну шину та дві вихідні клеми, причому другий вивід першого резистора підключений до першого виводу магніторезистора, другий полюс джерела постійної напруги з'єднаний із загальної шиною, до якої підключена друга вихідна клема. Введені біполярний двоколекторний транзистор, польовий двостоковий транзистор, біполярний транзистор, елемент Холла, шість резисторів і дві ємності.

Сенсор магнитного поля на базе магниторезистора и элемента Холла содержит магниторезистор, источник постоянного напряжения, резистор, общую шину и две выходные клеммы, причем второй вывод первого резистора подключен к первому выводу магниторезистора, второй полюс источника постоянного напряжения соединен с общей шиной, к которой подключена вторая выходная клемма. Введены биполярный двухколлекторный транзистор, полевой двухстоковый транзистор, биполярный транзистор, элемент Холла, шесть резисторов и две емкости.

A magnetic sensor based on a magnetoresistor and a hall element comprises a magnetoresistor, a DC source, a resistor, a global bus and two output terminals, the second lead of first resistor is connected to the first terminal of first magnetoresistor, the second pole of DC source is connected to the global bus, the second terminal is also connected to the global bus. A bipolar double-collector transistor, a field-effect double drain transistor, a bipolar transistor, a hall element, six resistors and two capacitors are introduced.