Show simple item record

dc.contributor.authorОсадчук, Володимир Степановичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Олександр Володимировичuk
dc.contributor.authorОсадчук, Владимир Степановичru
dc.contributor.authorОсадчук, Александр Владимировичru
dc.contributor.authorOsadchuk, Volodymyr Stepanovychen
dc.contributor.authorOsadchuk, Oleksandr Volodymyrovychen
dc.date.accessioned2015-09-07T11:34:14Z
dc.date.available2015-09-07T11:34:14Z
dc.date.issued2004-11-15
dc.identifier71190 А
dc.identifier.citationПат. 71190 А UA, МПК G01T 3/00. Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук (Україна). - № 2003119841 ; заявл. 03.11.2003 ; опубл. 15.11.2004, Бюл. № 11. - 2 с. : кресл.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/1704
dc.description.abstractНапівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги. У пристрій уведені другий і третій чутливі до радіації нейтронів польові транзистори і друге джерело постійної напруги. При дії дози швидких нейтронів на чутливі до радіації нейтронів польові транзистори змінюються ємнісна та індуктивна складові повного опору, відповідно, першого і другого транзисторів та третього транзистора, що спричиняє зміну резонансної частоти коливального контуру. Винахід забезпечує підвищення чутливості пристрою.uk
dc.description.abstractПредлагаемый полупроводниковый прибор для определения дозы быстрых нейтронов содержит источник постоянного напряжения, полевой транзистор, чувствительный к быстрым нейтронам, и, дополнительно, второй источник постоянного напряжения и два дополнительных полевых транзистора, чувствительных к быстрым нейтронам. Воздействие быстрых нейтронов на полевые транзисторы вызывает изменение емкостной и индуктивной составляющих полного сопротивления транзисторов, в результате чего изменяется частота резонансных колебаний в колебательном контуре, в который включены транзисторы. Настоящее изобретение позволяет повысить чувствительность прибора.ru
dc.description.abstractThe proposed semiconductor device for determining a dose of fast neutrons contains a direct voltage source, a field-effect transistor sensitive to fast neutrons, and additionally, the second direct voltage source and two additional field-effect transistors sensitive to fast neutrons. The effect of fast neutrons on the field-effect transistors causes the change of the capacitive and inductive components of the transistor impedance, resulting in the change of the frequency of the resonance oscillations in the oscillatory circuit in which the transistors are connected. The present invention allows the sensitivity of the device to be enhanced.en
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДержавне підприємство "Український інститут промислової власності" (УКРПАТЕНТ)uk
dc.subjectG01T 3/00
dc.subjectатомна енергетикаuk
dc.subjectконтрольно-вимірювальна технікаuk
dc.subjectвимірювання дози нейтронівuk
dc.subjectнапівпровідниковий пристрійuk
dc.titleНапівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронівuk
dc.title.alternativeПолупроводниковый прибор для определения дозы быстрых нейтроновru
dc.title.alternativeSemiconductor device for determining a dose of fast neutronsen
dc.typePatent


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record