dc.contributor.author | Osadchuk, O. V. | en |
dc.contributor.author | Baraban, S. V. | en |
dc.contributor.author | Basich, B. V. | en |
dc.contributor.author | Осадчук, О. В. | uk |
dc.contributor.author | Барабан, С. В. | uk |
dc.contributor.author | Басич, Б. В. | uk |
dc.date.accessioned | 2017-10-05T12:37:23Z | |
dc.date.available | 2017-10-05T12:37:23Z | |
dc.date.issued | 2017 | |
dc.identifier.citation | Osadchuk O. V. Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance [Text] / O. V. Osadchuk, S. V. Baraban, B. V. Basich // Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. - Вінниця, ВНТУ, 2017. - С. 147-148. | en |
dc.identifier.isbn | 978-966-641-705-6 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/18309 | |
dc.description.abstract | The paper analyses modern development status of temperature converter on the basis of piroelectrics, represents and describes a new temperature converter on the basis of transistor structure with negative resistance, simulates current-voltage and frequency characteristic of this device in the software environment Pspice. | en |
dc.language.iso | en | en |
dc.publisher | ВНТУ | uk |
dc.relation.ispartof | Матеріали VI міжнародної науково-технічної конференції "Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2017)", м. Вінниця, 28-30 вересня 2017 р. : 147-148. | uk |
dc.subject | negative resistance | en |
dc.subject | insulated gate bipolar transistor | en |
dc.subject | bipolar junction transistor | en |
dc.subject | piroelectric | en |
dc.subject | temperature converter | en |
dc.subject | active oscillator | en |
dc.subject | structure with negative resistance | en |
dc.subject | emanation power transducer sensor | en |
dc.subject | piroelectric detector | en |
dc.title | Temperature converter based on IGBT-BJT structure with negative resistance | en |
dc.type | Thesis | |