Show simple item record

dc.contributor.authorКолесницький, О. К.uk
dc.contributor.authorБокоцей, І. Д.uk
dc.date.accessioned2017-11-20T12:08:58Z
dc.date.available2017-11-20T12:08:58Z
dc.date.issued2011
dc.identifier.citationКолесницький О. К. Математичнамодель імпульсного нейроелемента на біспін-приладі [Текст] / О. К. Колесницький, І. В. Бокоцей // Вісник Хмельницького національного університету. - 2011. - № 5. - С. 141-149.uk
dc.identifier.urihttp://ir.lib.vntu.edu.ua//handle/123456789/19107
dc.description.abstractВ статті розроблено математичну модель нейроелемента на біспін-приладі, яка, по-перше, дозволяє визначати не тільки частоту вихідних імпульсів, а і допустимий діапазон оптичних потужностей вхідних сигналів, а, по-друге, встановлює залежність не від зовнішніх (експлуатаційних) параметрів біспін-приладу, а від внутрішніх (технологічних) параметрів біспін-структури. Це дуже важливо при інтегральній реалізації масиву штучних нейронів, де на етапі проектування та виготовлення необхідно знати потрібні технологічні параметри напівпровідникових структур для досягнення заданих параметрів штучних нейронів.uk
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherХмельницький національний університетuk
dc.relation.ispartofВісник Хмельницького національного університету. № 5 : 141-149.uk
dc.relation.ispartofseriesТехнічні наукиuk
dc.titleМатематична модель імпульсного нейроелемента на біспін-приладіuk
dc.typeArticle
dc.identifier.udc004.032.26


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record